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三星發現非晶態氮化硼(a-BN),將加速下一代半導體材料問世

關鍵詞 氮化硼 , 半導體|2020-07-08 09:55:50
摘要 7月6日,據三星電子官方新聞,三星高級技術學院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學技術學院(UNIST)和劍橋大學合作,揭開了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料的發現。該研究...

7月6日,據三星電子官方新聞,三星高級技術學院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學技術學院(UNIST)和劍橋大學合作,揭開了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料的發現。該研究發表在《自然》雜志上,有可能加速下一代半導體的問世。

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截圖自Samsung Newsroom

三星表示,SAIT最近一直在研究和開發二維(2D)材料——只有一層原子的晶體材料。具體來說,研究所一直致力于石墨烯的研究與開發,并在該領域取得了突破性的研究成果,如開發了一種新型石墨烯晶體管,以及一種生產大面積單晶片級石墨烯的新方法。除了研究和開發石墨烯,SAIT一直致力于加速這種材料的商業化。

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圖自:Samsung Newsroom

該報道稱,這種新發現的材料被稱為非晶態氮化硼(a-BN),由硼和氮原子組成,為非晶態結構。非晶態氮化硼是由白色石墨烯衍生而來,其中硼原子和氮原子排列成六邊形結構,而a-BN的分子結構實際上使其與白色石墨烯有獨特之處。
       SAIT石墨烯項目負責人、首席研究員Shin Hyeon-jin說:“為了增強石墨烯與硅基半導體工藝的兼容性,半導體襯底上的晶片級石墨烯生長應在低于400攝氏度的溫度下進行。我們也在不斷努力將石墨烯的應用擴展到半導體之外?!?br/>無定形氮化硼具有一流的超低介電常數——1.78,具有較強的電氣和機械性能,可作為互連隔離材料,以減少電干擾。也證明了這種材料可以在400攝氏度的低溫下在晶圓片上生長。因此,非晶態氮化硼有望廣泛應用于DRAM和NAND解決方案等半導體,特別是用于大規模服務器的下一代內存解決方案。
       對此,SAIT副總裁兼無機材料實驗室負責人Park Seong-jun表示,“最近,人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣越來越大。然而,在現有的半導體工藝中應用該材料仍存在許多挑戰。我們將繼續開發新材料,引領半導體領域的轉變?!?/p>

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